Широкополосные электрически управляемые аттенюаторы

Полупроводниковые широкополосные электрически управляемые аттенюаторы предназначены для управления амплитудой и модуляции СВЧ сигнала в измерительных трактах, а так же в составе радиотехнической аппаратуры различного назначения в диапазоне частот 50 – 75 ГГц, 75 – 110 ГГц и 110 – 170 ГГц. В качестве активного элемента аттенюатора использован полупроводниковый диод с n-i-p-i-n – структурой, что позволяет создавать аттенюатор с относительной полосой частот до 40%. Толщина i-слоя диода составляет 150 мкм, что дает возможность увеличить уровень допустимой коммутируемой СВЧ-мощности. За счет поглощения в диоде СВЧ-мощности в режиме инжекции аттенюаторы имеют малый коэффициент отражения. КСВН аттенюаторов при ослаблении 0 дБ не превышает 2, при ослаблении 40 дБ не превышает 4.